Name: Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585DV-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3

Artikelnummer:

SI3585DV-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Datenblätte:

1.SI3585DV-T1-E3.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

Datenblätter
SI3585DV.pdf

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RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

Zahlungsmittel:

PayPal / Credit Card / T/T

Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI3585DV-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Leistung - max	830mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A, 1.5A
Konfiguration	N and P-Channel
Grundproduktnummer	SI3585
SI3585DV-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI3585DV-T1-E3 PDF - EN.pdf

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